陕西半导体先导技术中心有限公司成立于2018年4月，是在陕西省委、省政府支持下，由央企、地方国企、政府出资平台和高校共同投资成立的企业化运营共性技术研发平台。主要致力于加快半导体前沿关键技术研发创新，推动先进半导体器件和第三代半导体为核心的产业创新体系。
先导中心依托西安电子科技大学第三代半导体的核心技术，成功研发基于SiC、GaN产品，现已形成进50款芯片、20款模块、10款模组产品，其中部分芯片可实现国产替代，少数产品和技术填补了国内空白。
1200V 600/800A HPD碳化硅模块
该款产品使用高可靠性基板Si₃N₄，应用多芯片并联均流技术，低寄生参数，具备极低开关损耗与导通损耗。适用于要求严苛的高效率转换系统，如机控制器、新能源汽车、工业变频器。
1200V 100A H桥全碳化硅模块
P0V 100A 三电平全碳化硅模块
先导中心两款完全国产化的1200V 100A全碳化硅模块，具备功率密度高、性能稳定、损耗更低等优势，支持按需配置。广泛应用于高频开关电源、DC/DC变流器、电动汽车充电及太阳能逆变等领域，是实现高效电能转换的核心器件。
62mm碳化硅半桥高频模组
本模组集成自研1200V 300A 62mmSiC模块与200kHz高频驱动，专为感应加热优化。其碳化硅内核高频低损耗的特性，突破IGBT方案频率瓶颈，避免了复杂的多管并联，简化设计、降低成本并大幅提升系统可靠性与稳定性。
1200V 900A ED3碳化硅模块
基于碳化硅材料，本1200V 900A模块具备显著技术优势：开关频率高，损耗较IGBT降低70%以上，系统效率显著提升；结温耐受达175°C，高温性能稳定，功率密度更高。广泛应用于新能源汽车800V平台、工业储能及超充桩等高端领域。
